中新网上海新闻3月27日电(记者 康玉湛) 近日，中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”)宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度， ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A(亚埃级)。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。

　　据介绍，该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一(图1)。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破，彰显了中微公司在技术研发上的深厚积累，进一步巩固了公司在高端微观加工设备市场的领先地位。

　　在200片硅片的重复性测试中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆， 在左右两个反应台上各100片的平均刻蚀速度相差，各为每分钟0.9埃，1.5埃和1.0埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别(≤ 0.09%)，远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别(≤ 0.9%)。

　　截至目前，Primo D-RIE®以及下一代产品Primo AD-RIE®在逻辑客户的产线上的量产反应台已经超过2000台，并有近600个反应台在国际最先进的逻辑产线上量产，其中相当一部分机台已在5纳米及更先进的生产线上用于量产。

　　中微公司首创了单反应台可以分别独立操作也可以同时操作的双反应台刻蚀反应器，是占地面积小、输出量高和成本低的刻蚀机。CCP和ICP的双台机已经证明了可以覆盖60%以上的刻蚀应用。大量的生产线数据表明，双反应台和单反应台刻蚀机呈现一样的刻蚀性能、刻蚀稳定性和可靠性。凭借行业首创的可独立工作的刻蚀设备双台机技术，通过超过20年的技术创新与经验积累，中微公司研发的电感耦合ICP刻蚀设备Primo Twin-Star®首次取得了0.2A的业界首创的刻蚀精度。该产品采用独创的低电容耦合LCC 3D线圈设计，双反应台腔体结构并结合创新的反应腔设计，可最大程度减弱非中心对称抽气口效应，可选多区温控静电吸盘(ESC)增强了对关键尺寸均匀性的控制，与其它同类设备相比，具有低成本、占地小和高产出的优异于特性，可应用于大多数先进逻辑和存储器的刻蚀制程。

　　此外，中微公司持续加码创新研发，2024年在研项目广泛涵盖六大类设备，积极推进超过二十款新型设备的研发工作，并在半导体薄膜沉积设备领域不断突破，推出了多款LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备新产品，获得了重复性订单。公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备等多款新产品，也会在近期投入市场验证。

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编辑：康玉湛