中新网上海新闻9月8日电(郑莹莹)碳化硅功率器件具备高耐压、低损耗、耐高温以及高频特性的优势，是实现电能高效转换的核心载体。

　　“破界·启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会”7日在上海举行。

　　西安电子科技大学教授贾仁需在分享中表示，碳化硅超级结器件研发面临三大难题。一是“算不准”，理论模型与实际工艺难适配；二是“找不到”，复杂结构导致多区域电场分布难协同；三是“做不出”，工艺波动导致结构设计难实现。正是这三重困境长期制约着该技术的产业化进程。而通过产学研团队的深度协同，联合晶圆代工厂进行工艺开发，这些瓶颈被逐一攻克，最终实现了从“实验室概念”到“工程化产品”的跨越。

　　现场，碳化硅超级结MOSFET正式发布。瑶芯微电子团队与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃的团队，在碳化硅超级结技术上展开深度产学研合作。

　　瑶芯微电子联合创始人、CTO陈开宇如此解释“超级结技术”：功率器件类似一座电闸，闸门打开时电流需要宽大顺畅的通道，减少损耗；闸门关闭时，要靠半导体材料扛住高压电流，防止击穿。超级结技术的思路是，在主通道两侧建造一排排交替排布的“承重柱”——P型柱与N型柱。当器件承受高电压时，原本集中的电场被这些柱子共同分担、相互抵消，电场分布趋于均匀。主通道无需收窄，就能扛住更高电压。

　　陈开宇把相关制造过程形容为“在微米世界里盖一栋高楼”。经过5年的努力，合作团队实现该前沿技术从实验室走向产业化的突破。

　　瑶芯微电子围绕新能源汽车全场景、数据中心800V供电架构全链路等核心应用领域，构建了功率器件系统级解决方案。

　　碳化硅被视为下一代功率器件竞争的制高点。

　　在今年7月初发布的2025年度上海市科学技术奖名单中，积塔半导体携手复旦大学等科研力量共同完成的“新能源汽车主驱国产碳化硅(SiC)功率器件设计制造关键技术及产业化”项目，摘得上海市科技进步二等奖。积塔半导体也希望继续深耕科技创新，聚力突破关键工艺。(完)

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编辑：李秋莹